La producción de los chips LED se realiza típicamente sobre obleas de 5 a 10 cm (2 a 4 pulgadas) con un sustrato de zafiro muy costoso. Toshiba y Bridgelux, Inc. desarrollaron un proceso para la fabricación de LED de nitrito de galio en obleas de silicio de 200 mm, que Toshiba llevó a una nueva línea de producción en Kaga Toshiba Electronics Corporation, una planta de fabricación de productos discretos en el norte de Japón. La producción en masa de los paquetes con la nueva línea comienza este mes.
La implementación de la nueva tecnología de nitrito de galio en silicio (GaN-on-Si) de Toshiba y Bridgelux para producir chips LED permitió a Toshiba reemplazar los sustratos de zafiro y producir los chips sobre un sustrato de silicio a un costo mucho más competitivo.
El consumo bajo de energía y la vida prolongada de la luz LED blanca está ganando una amplia adopción en la iluminación con fines generales, la luz de fondo en TV y otras áreas de aplicación. En el ejercicio fiscal de 2011, el mercado mundial llegó a los 700,000 millones de yenes (aproximadamente 8,500 millones USD) y se espera que prácticamente se duplique a 1,250,000 millones de yenes (15,200 millones USD) en el ejercicio fiscal de 2016.
Con miras hacia el futuro, Toshiba promoverá el desarrollo del producto y las ventas mundiales para asegurar un 10 % de participación en el mercado mundial en el ejercicio fiscal de 2016.
Descripción general del producto
Nombre del producto: Serie TL1F1 (1 W)
Tamaño: 6.4 mm (L) x 5.0 mm (A) x 1.35 mm (Alt.)
Flujo de luz: 112 lm (a 350 mA)
Inicio de producción en masa: Diciembre de 2012
Capacidad de producción (planificada): 10,000,000 unidades por mes.